參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP90B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： 功率MOS 7 IGBT的是一個(gè)高壓電源IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 6/6頁(yè)
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代理商： APT15GP90B
0
APT15GP90B
Figure 22, Turn-on Switching Waveforms and Definitions
Figure 23, Turn-off Switching Waveforms and Definitions
T0-247 Package Outline
15.49 (.610)
16.26 (.640)
5.38 (.212)
6.20 (.244)
6.15 (.242) BSC
4.50 (.177) Max.
19.81 (.780)
20.32 (.800)
20.80 (.819)
21.46 (.845)
1.65 (.065)
2.13 (.084)
1.01 (.040)
1.40 (.055)
3.50 (.138)
3.81 (.150)
2.87 (.113)
3.12 (.123)
4.69 (.185)
5.31 (.209)
1.49 (.059)
2.49 (.098)
2.21 (.087)
2.59 (.102)
0.40 (.016)
0.79 (.031)
C
Collector
Emitter
Gate
5.45 (.215) BSC
2-Plcs.
Dimensions in Millimeters and (Inches)
APT’s products are covered by one or more of U.S.patents 4,895,810 5,045,903 5,089,434 5,182,234 5,019,522
5,262,336 6,503,786 5,256,583 4,748,103 5,283,202 5,231,474 5,434,095 5,528,058 and foreign patents. US and Foreign patents pending. All Rights Reserved.
*DRIVER SAME TYPE AS D.U.T.
I
C
V
CLAMP
100uH
V
TEST
A
A
B
D.U.T.
DRIVER*
V
CE
Figure 24, E
ON1
Test Circuit
I
C
A
D.U.T.
APT15DF100
V
CE
Figure 21, Inductive Switching Test Circuit
V
CC
10%
t
d(on)
T
J
= 125°C
Drain Current
DrainVoltage
Gate Voltage
5%
90%
10%
t
r
5%
Switching Energy
T
J
= 125°C
Switching Energy
DrainVoltage
Drain Current
Gate Voltage
0
90%
t
d(off)
10%
t
f
90%
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