參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP90B
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： The POWER MOS 7 IGBT is a new generation of high voltage power IGBTs.
中文描述： 功率MOS 7 IGBT的是一個(gè)高壓電源IGBT的新一代。
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
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代理商： APT15GP90B
0
APT15GP90B
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3,000
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19a, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
1,000
500
100
50
10
70
60
50
40
30
20
10
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimum Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
200
400
600
800
1000
Cies
Coes
Cres
FIGURE 19b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
max
F
max1
max2
max1
d(on)
P
E
T
R
θ
r
d(off )
f
diss
cond
P
E
+
max2
on2
off
J
C
diss
JC
min(f
,f
0.05
+
)
f
t
t
t
t
f
T
P
=
=
+
+
=
=
0
10
20
30
40
F
M
,
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 600V
R
G
= 5
210
100
50
10
5
0.222
0.278
0.00474F
0.125F
RC MODEL
Case temperature(
°
C)
Junction
temp (
°
C)
Power
(watts)
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