參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP60BDF1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁(yè)數(shù)： 8/9頁(yè)
文件大小： 129K
代理商： APT15GP60BDF1
0
APT15GP60BDF1
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
t
rr
Q
rr
Q
rr
t
rr
I
RRM
V
fr
30A
15A
7.5A
15A
7.5A
30A
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
T
J
= 150°C
7.5A
15A
30A
t
fr
T
J
= 175°C
T
J
= 100°C
V
R
= 400V
T
J
= 100°C
V
R
= 400V
T
J
= 100°C
V
R
= 400V
I
F
= 15A
120
100
80
60
40
20
0
100
80
60
40
20
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
100
80
60
40
20
0
250
200
150
100
50
0
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
30
25
20
15
10
5
0
30
25
20
15
10
5
0
C
J
,
t
r
,
I
R
,
I
F
,
(
(
(
(
I
F
(
t
f
,
K
f
,
Q
r
,
(
(
(
V
f
,
(
0
1
2
3
4
5
0
200
400
600
800
1000
0
di
F
/dt, CURRENT RATE OF DECREASE (A/μs)
Figure 28, Reverse Recovery Current
vs.
Current Rate of Decrease
200
400
600
800
1000
0
25
50
75
100
125
150
0
di
F
/dt, CURRENT RATE OF DECREASEs (A/μs)
Figure 30, Reverse Recovery Time
vs.
Current Rate of Decrease
200
400
600
800
1000
0
200
400
600
800
1000
.3
1
10
100 200
25
50
75
100
125
150
V
F
, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
di
F
/dt, CURRENT RATE OF DECREASE(A/μs)
Figure 27, Reverse Recovery Charge
vs.
Current Rate of Decrease
Figure 26, Forward Voltage
vs.
Forward Current
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Figure 29, Dynamic Parameters
vs.
Junction Temperature
di
F
/dt, CURRENT RATE OF DECREASE (A/μs)
Figure 31, Forward Recovery Voltage/Time
vs.
Current Rate of Decrease
V
R
, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 32, Junction Capacitance
vs.
Reverse Voltage
Case Temperature (°C)
Figure 33, Maximum Average Forward Current
vs.
CaseTemperature
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