參數(shù)資料
型號： APT15GP60BDF1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大小： 129K
代理商： APT15GP60BDF1
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4,000
APT15GP60BDF1
1,000
500
100
50
10
70
60
50
40
30
20
10
0
C
P
F
I
C
,
V
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17, Capacitance vs Collector-To-Emitter Voltage
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE
Figure 18, Minimim Switching Safe Operating Area
0
10
20
30
40
50
0
100
200
300
400
500
600
700
Cies
Coes
Cres
0.60
0.50
0.40
0.30
0.20
0.10
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
Z
θ
J
,
0.3
0.9
0.7
0.1
0.05
0.5
SINGLE PULSE
RECTANGULAR PULSE DURATION (SECONDS)
Figure 19A, Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-To-Case vs Pulse Duration
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
max
F
max1
max2
max1
d(on)
P
E
T
R
θ
r
d(off )
f
diss
cond
P
E
+
max2
on2
off
J
C
diss
JC
min(f
,f
0.05
+
)
f
t
t
t
t
f
T
P
=
=
+
+
=
=
FIGURE 19B, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
292
100
50
10
F
M
,
I
, COLLECTOR CURRENT (A)
Figure 20, Operating Frequency vs Collector Current
T
J
= 125
°
C
T
= 75
°
C
D = 50 %
V
CE
= 400V
R
G
= 5
0.216
0.284
0.00600
0.164
Power
(Watts)
RC MODEL
Junction
temp. ( ”C)
Case temperature
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