參數(shù)資料
型號(hào)： APT15GP60BDF1
廠商： Advanced Power Technology Ltd.
英文描述： POWER MOS 7 IGBT
中文描述： IGBT的功率MOS 7
文件頁數(shù)： 7/9頁
文件大?。?/td> 129K
代理商： APT15GP60BDF1
0
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
APT15GP60BDF1
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C
= 94°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J
= 45°C, 8.3ms)
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
I
F
(AV)
I
F
(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F
= 15A
I
F
= 30A
I
F
= 15A, T
J
= 150°C
Forward Voltage
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.2
2.7
1.6
APT15GP60BDF1
15
36
110
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C
= 25°C unless otherwise specified.
MIN
TYP
MAX
56
58
106
106
2.3
6
77
235
5
5
UNIT
ns
Amps
nC
Volts
Characteristic
Reverse Recovery Time
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
F
= 15A, di
F
/dt
= -200A/μs, V
R
= 400V
Forward Recovery Time
T
J
= 25°C
I
F
= 15A, di
F
/dt
= 200A/μs, V
R
= 400V
T
J
= 100°C
Maximum Reverse Recovery Current
T
J
= 25°C
I
F
= 15A, di
F
/dt
= -200A/μs, V
R
= 400V
T
J
= 100°C
Reverse Recovery Charge
T
J
= 25°C
I
F
= 15A, di
F
/dt
= -200A/μs, V
R
= 400V
T
J
= 100°C
Forward Recovery Voltage
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
I
F
= 15A, di
F
/dt
= 200A/μs, V
R
= 400V
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Symbol
t
rr1
t
rr2
t
fr1
t
fr2
I
RRM1
I
RRM2
Q
rr1
Q
rr2
V
fr1
V
fr2
Z
θ
J
,
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs PULSE DURATION
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Note:
Duty Factor D = t1/t2
Peak TJ = PDM x Z
θ
JC + TC
t1
t2
P
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.05
0.3
0.7
0.9
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