型號(hào): | APT150GN60JDQ4 |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | ISOTOP-4 |
文件頁(yè)數(shù): | 4/9頁(yè) |
文件大小: | 533K |
代理商: | APT150GN60JDQ4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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APT150GN60LDQ4 | 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
APT15F50KF | 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
APT15GP60BDF1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1 | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
APT15GP60BDQ1G | 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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APT150GN60LDQ4 | 制造商:MICROSEMI 制造商全稱:Microsemi Corporation 功能描述:Thunderbolt IGBT |
APT150GN60LDQ4G | 功能描述:IGBT 600V 220A 536W TO-264L RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):3V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件 |
APT150GT120JR | 功能描述:IGBT 1200V 170A 830W SOT227 RoHS:是 類別:半導(dǎo)體模塊 >> IGBT 系列:Thunderbolt IGBT® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 配置:單一 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):600V Vge, Ic時(shí)的最大Vce(開(kāi)):1.4V @ 15V,100A 電流 - 集電極 (Ic)(最大):430A 電流 - 集電極截止(最大):100µA Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies):31nF @ 25V 功率 - 最大:1000W 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無(wú) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-227B |
APT-15A | 制造商:OPTIFUSE 功能描述: |
APT15D100B | 制造商:ADPOW 制造商全稱:Advanced Power Technology 功能描述:ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE |