參數(shù)資料
型號(hào)： APT13GP120BDQ1
元件分類(lèi)： IGBT 晶體管
英文描述： 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 431K
代理商： APT13GP120BDQ1
050-7446
Rev
B
5-2005
APT13GP120BDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Characteristic / Test Conditions
Maximum Average Forward Current (T
C = 127°C, Duty Cycle = 0.5)
RMS Forward Current (Square wave, 50% duty)
Non-Repetitive Forward Surge Current (T
J = 45°C, 8.3ms)
Symbol
I
F(AV)
I
F(RMS)
I
FSM
Symbol
V
F
Characteristic / Test Conditions
I
F = 13A
Forward Voltage
I
F = 26A
I
F = 13A, TJ = 125°C
STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
UNIT
Amps
UNIT
Volts
MIN
TYP
MAX
2.7
3.3
2.3
APT13GP120BDQ1(G)
15
29
110
DYNAMIC CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
All Ratings: T
C = 25°C unless otherwise specied.
ULTRAFAST SOFT RECOVERY ANTI-PARALLEL DIODE
MIN
TYP
MAX
-
21
-
240
-
260
-
3
-
290
-
960
-
6
-
130
-
1340
-
19
UNIT
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
ns
nC
Amps
Characteristic
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
Maximum Reverse Recovery Current
Symbol
t
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
t
rr
Q
rr
I
RRM
Test Conditions
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 25°C
I
F = 15A, diF/dt = -200A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 15A, diF/dt = -1000A/s
V
R = 800V, TC = 125°C
I
F = 1A, diF/dt = -100A/s, VR = 30V, TJ = 25°C
Z
θJC
,THERMAL
IMPEDANCE
(°C/W)
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1.0
RECTANGULAR PULSE DURATION (seconds)
FIGURE 25a. MAXIMUM EFFECTIVE TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, JUNCTION-TO-CASE vs. PULSE DURATION
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0
0.5
SINGLE PULSE
0.1
0.3
0.7
0.9
0.05
FIGURE 25b, TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE MODEL
Peak TJ = PDM x ZθJC + TC
Duty Factor D =
t1/t2
t2
t1
P
DM
Note:
0.676
0.504
0.00147
0.0440
Power
(watts)
RC MODEL
Junction
temp. (°C)
Case temperature. (°C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
APT150GN60JDQ4 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT
APT150GN60LDQ4 220 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
APT15F50KF 6.2 A, 500 V, 0.39 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
APT15GP60BDF1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
APT15GP60BDQ1 56 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
APT13GP120BDQ1G 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT13GP120BG 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO247 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT13GP120K 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
APT13GP120KG 功能描述:IGBT 1200V 41A 250W TO220 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:POWER MOS 7® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類(lèi)型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
APT13GP120S 制造商:ADPOW 制造商全稱(chēng):Advanced Power Technology 功能描述:POWER MOS 7 IGBT
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*