參數(shù)資料
型號(hào)： APT13GP120BDQ1
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 41 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247AD
封裝： TO-247, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大?。?/td> 431K
代理商： APT13GP120BDQ1
050-7446
Rev
B
5-2005
APT13GP120BDQ1(G)
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
BV
CES
,COLLECTOR-TO-EMITTER
BREAKDOWN
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
VOLTAGE
(NORMALIZED)
I C,
DC
COLLECTOR
CURRENT(A)
V
CE
,COLLECTOR-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
V
GE
,GATE-TO-EMITTER
VOLTAGE
(V)
I C
,COLLECTOR
CURRENT
(A)
250s PULSE
TEST<0.5 % DUTY
CYCLE
T
J = 25°C.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
V
GE = 15V.
250s PULSE TEST
<0.5 % DUTY CYCLE
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
40
35
30
25
20
15
10
5
0
6
5
4
3
2
1
0
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
V
CE, COLLECTER-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
FIGURE 1, Output Characteristics(TJ = 25°C)
FIGURE 2, Output Characteristics (TJ = 125°C)
V
GE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
GATE CHARGE (nC)
FIGURE 3, Transfer Characteristics
FIGURE 4, Gate Charge
VGE, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
TJ, Junction Temperature (°C)
FIGURE 5, On State Voltage vs Gate-to- Emitter Voltage
FIGURE 6, On State Voltage vs Junction Temperature
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
FIGURE 7, Breakdown Voltage vs. Junction Temperature
FIGURE 8, DC Collector Current vs Case Temperature
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0
10
20
30
40
50
60
6
8
10
12
14
16
-55
-25
0
25
50
75
100
125
-50
-25
0
25
50
75
100 125
-50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T
J = 125°C
T
J = 25°C
T
J = -55°C
V
CE = 240V
V
CE = 600V
V
CE = 960V
IC = 13A
TJ = 25°C
I
C = 26A
I
C = 13A
I
C = 6.5A
I
C = 26A
I
C = 13A
I
C = 6.5A
40
35
30
25
20
15
10
5
0
16
14
12
10
8
6
4
2
0
5
4
3
2
1
0
60
50
40
30
20
10
0
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PDF描述
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