參數(shù)資料
型號： APT100GN60LDQ4
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： 229 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
封裝： TO-264, 3 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大?。?/td> 448K
代理商： APT100GN60LDQ4
050-7622
Rev
A
10-2005
APT100GN60LDQ4(G)
TJ =125°C
VR=400V
50A
100A
200A
Duty cycle = 0.5
TJ =175°C
0
25
50
75
100
125
150
25
50
75
100
125
150
175
1
10
100 200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
Q
rr,
REVERSE
RECOVERY
CHARGE
I F
,FORWARD
CURRENT
(nC)
(A)
I RRM
,REVERSE
RECOVERY
CURRENT
t rr
,REVERSE
RECOVERY
TIME
(A)
(ns)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
200
400
600
800
1000
1200
0
200
400
600
800
1000 1200
0
200
400
600
800
1000 1200
T
J = -55°C
T
J = 25°C
T
J = 125°C
T
J = 175°C
TJ =125°C
VR=400V
100A
50A
200A
300
250
200
150
100
50
0
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
TJ =125°C
VR=400V
200A
100A
50A
300
250
200
150
100
50
0
60
50
40
30
20
10
0
C
J,
JUNCTION
CAPACITANCE
K
f,DYNAMIC
PARAMETERS
(pF)
(Normalized
to
1000A/
s)
I F(AV)
(A)
Q
rr
t
rr
Q
rr
I
RRM
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
t
rr
V
F, ANODE-TO-CATHODE VOLTAGE (V)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE(A/s)
Figure 25. Forward Current vs. Forward Voltage
Figure 26. Reverse Recovery Time vs. Current Rate of Change
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
-di
F /dt, CURRENT RATE OF CHANGE (A/s)
Figure 27. Reverse Recovery Charge vs. Current Rate of Change
Figure 28. Reverse Recovery Current vs. Current Rate of Change
T
J, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Case Temperature (°C)
Figure 29. Dynamic Parameters vs. Junction Temperature
Figure 30. Maximum Average Forward Current vs. CaseTemperature
V
R, REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 31. Junction Capacitance vs. Reverse Voltage
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PDF描述
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APT100GT60LR 148 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA
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參數(shù)描述
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