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APT100GT120JRDL

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APT100GT120JRDLMI
    APT100GT120JRDLMI

    APT100GT120JRDLMI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • Microsemi

  • SOT-227

  • 11+

  • -

  • 100%進口原裝正品，只做原裝

  • APT100GT120JRDL
    APT100GT120JRDL

    APT100GT120JRDL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 1665

  • MICROSE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APT100GT120JRDL
    APT100GT120JRDL

    APT100GT120JRDL

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話：0755-88608801多線17727932378

    地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

  • 9600

  • ISOTOP?/FONT>

  • APT(MICROSEMI)

  • 17+

  • -

  • 原裝正品。優(yōu)勢供應(yīng)

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
APT100GT120JRDL PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT 1200V 123A 570W SOT227
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APT100GT120JRDL 技術(shù)參數(shù)
  • APT100GT120JR 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:123A 功率 - 最大值:570W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.7nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN60LDQ4G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:229A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:4.75mJ（開）， 2.675mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:600nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:31ns/310ns 測試條件:400V，100A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN60B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 600V 229A 625W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:229A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):300A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.85V @ 15V，100A 功率 - 最大值:625W 開關(guān)能量:4.7mJ（開）， 2.675mJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:600nC 25°C 時 Td（開/關(guān)）值:31ns/310ns 測試條件:400V，100A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN120JDQ4 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 153A 446W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:153A 功率 - 最大值:446W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，100A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:6.5nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SOT-227-4，miniBLOC 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT100S20LCTG APT102GA60B2 APT102GA60L APT-106 APT106N60B2C6 APT-106-T APT10DC120HJ APT10M09B2VFRG APT10M11B2VFRG APT10M11JVRU2 APT10M11JVRU3 APT10SCD120B APT10SCD120BCT APT10SCD120K APT10SCD65K APT10SCD65KCT APT10SCE120B APT10SCE170B
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