APT10DC120HJ

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說明
操作

APT10DC120HJ
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
ISOTOP，SOT-227
24+
-
國產(chǎn)品牌，替代進口

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
ISOTOP SiC Diode Full Bridge Power Module

APT10DC120HJ 技術參數(shù)

APT-106-T 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:700 APT106N60B2C6 功能描述:MOSFET N-CH 600V 106A TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:106A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 53A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:308nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:8390pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 變式供應商器件封裝:T-MAX? [B2] 標準包裝:1 APT-106 功能描述:LAN XFRMR 10/100 1PORT EXT-TEMP 制造商:abracon llc 系列:* 零件狀態(tài):有效標準包裝:36 APT102GA60L 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:294nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/212ns 測試條件:400V，62A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-264 [L] 標準包裝:1 APT102GA60B2 功能描述:IGBT PT 600V 183A 780W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 8?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:PT 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:183A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):307A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，62A 功率 - 最大值:780W 開關能量:1.354mJ（開）， 1.614mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:294nC 25°C 時 Td（開/關）值:28ns/212ns 測試條件:400V，62A，4.7 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-247-3 變式安裝類型:通孔供應商器件封裝:* 標準包裝:30 APT10SCE120B APT10SCE170B APT11F80B APT11F80S APT11GF120BRDQ1G APT11GF120KRG APT11N80BC3G APT11N80KC3G APT1201R4BFLLG APT12031JFLL APT1204R7BFLLG APT1204R7KFLLG APT12057B2FLLG APT12057B2LLG APT12057JLL APT12057LFLLG APT12067B2FLLG APT12067B2LLG