參數(shù)資料
型號： AON5800
廠商： ALPHA
英文描述： Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 常見的漏雙N溝道增強型場效應晶體管
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 140K
代理商： AON5800
AON5800
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.5
1
0
5
10
15
20
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
Ω
)
V
GS
=2.5V
V
GS
=1.8V
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=4.5V
I
D
=7A
V
GS
=10V
I
D
=8A
V
GS
=2.5V
I
D
=4.5A
V
GS
=1.8V
I
D
=6A
0
10
20
30
40
50
60
0
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
Ω
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=8A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=2V
6V
2.5V
10V
4V
3V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AON5802 Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOP600 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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