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參數(shù)資料
| 型號： | AOD604L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 170K |
| 代理商： | AOD604L |
AOD604
P-Channel MOSFET Electrical Characteristics (T
J
=25°C unless otherwise noted)
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
-Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
-
G
0
200
400
600
800
1000
1200
0
5
15
20
25
30
-V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1
1
10
100
-V
DS
(Volts)
-
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
100
μ
s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
A
=25°C
V
DS
=-20V
I
D
=-8A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=3°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
A
=25°C
10
μ
s
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| AOD606 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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參數(shù)描述 |
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