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參數(shù)資料
| 型號： | AOD604L |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 170K |
| 代理商： | AOD604L |
AOD604
N-Channel MOSFET TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
I
D
(
20
25
30
35
40
45
50
0
4
8
12
16
20
I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
I
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature
N
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=8A
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
2
4
6
8
10
V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
I
D
=8A
25°C
125°C
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
I
D
V
GS
=3.5V
4V
10V
4.5V
5V
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD606 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD607 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD607L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD608 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AOD606_08 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD606L | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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