參數資料
型號： AOD607
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強模式互補場效應晶體管
文件頁數： 1/7頁
文件大小： 137K
代理商： AOD607
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-30
±20
Units
V
V
I
DM
I
AR
E
AR
A
mJ
T
J
, T
STG
°C
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
19
47
4.5
19
47
4.5
Max
23
60
6
23
60
6
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JC
-40
-18
40
25
12.5
A
W
-12
-12
40
18
40
25
1.3
-55 to 175
-55 to 175
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
2.1
1.3
2.1
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
T
C
=100°C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
Continuous Drain
Current
G
Pulsed Drain Current
C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
W
12.5
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Max n-channel
30
±20
12
12
t
≤
10s
Avalanche Current
C
R
θ
JA
AOD607
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 30V -30V
I
D
= 12A (V
GS
=10V) -12A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 25 m
(V
GS
=10V) < 37 m
(V
GS
= -10V)
< 34 m
(V
GS
=4.5V) < 62 m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AOD607 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide excellent
R
DS(ON)
and low gate charge. The
complementary MOSFETs may be used
in H-bridge, Inverters and other
applications.
Standard product AOD607 is Pb-
free (meets ROHS & Sony 259 specifications).
AOD607L is a Green Product ordering option.
AOD607 and AOD607L are electrically
identical.
G1
S1
G2
S2
n-channel
p-channel
S1 G1 S2 G2
TO-252-4L
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
D1/D2
D1/D2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關PDF資料
PDF描述
AOD607L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD608 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
AOD607_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應商器件封裝:TO-252-4L 標準包裝:2,500
AOD607_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V，37 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應商器件封裝:TO-252-4L 標準包裝:2,500
AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc），12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V，27 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W（Tc），30W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應商器件封裝:TO-252-4L 標準包裝:2,500
AOD607L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*