參數(shù)資料
型號(hào)： AOD607
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 137K
代理商： AOD607
AOD607
P-CHANNEL TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-6V
-3.5V
-4V
-10V
0
5
10
15
20
25
30
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
10
20
30
40
50
60
70
80
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
V
GS
=-4.5V
I
D
=-5A
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
3
4
5
6
8
9
10
-V
GS
(Vo7
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
25°C
125°C
I
D
=-12A
-4.5V
-5V
I
D
=-12A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD607L Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD608 Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AOD607_001 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD607_08 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD607_DELTA 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 12A，10V，37 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:12.5nC @ 4.5V，11.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 15V，1100pF @ 15V 功率 - 最大值:25W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD607A 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 8A/12A TO252-4 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 和 P 溝道互補(bǔ)型 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Tc），12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 8A，10V，27 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 250μA，2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7nC @ 4.5V，12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:395pF @ 15V，730pF @ 15V 功率 - 最大值:19W（Tc），30W（Tc） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD607L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
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