參數(shù)資料
型號(hào)： AOD608
廠商： ALPHA
英文描述： Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 增強(qiáng)模式互補(bǔ)場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/9頁(yè)
文件大?。?/td> 221K
代理商： AOD608
Symbol
V
DS
V
GS
Max p-channel
-40
±20
Units
V
V
I
DM
I
AR
E
AR
A
mJ
T
J
, T
STG
°C
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
Symbol
Device
n-ch
n-ch
n-ch
p-ch
p-ch
p-ch
Typ
19
50
4
19
50
2.5
Max
23
60
7.5
23
60
3
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JC
-30
-15
33
50
25
A
W
-10
-10
30
12
21
20
1.3
-55 to 175
-55 to 175
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
2.5
1.6
2
Maximum Junction-to-Case
B
Steady-State
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
T
C
=100°C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
P
D
Steady-State
Steady-State
Continuous Drain
Current
G
Pulsed Drain Current
C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
W
10
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Max n-channel
40
±20
10
10
t
≤
10s
Avalanche Current
C
R
θ
JA
AOD608
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
n-channel p-channel
V
DS
(V) = 40V -40V
I
D
= 10A (V
GS
=10V) -10A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
R
DS(ON)
< 39 m
(V
GS
=10V) < 51 m
(V
GS
= -10V)
< 50 m
(V
GS
=4.5V) < 75 m
(V
GS
= -4.5V)
ESD rating: 3000V (HBM)
General Description
The AOD608 uses advanced trench
technology MOSFETs to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge.
The complementary MOSFETs may be
used in H-bridge, Inverters and other
applications.
Standard product AOD608 is
Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications).
S1 G1 S2 G2
TO-252-4L
D-PAK
Top View
Drain Connected
to Tab
D1/D2
n-channel
p-channel
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOL1400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1408 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD609 功能描述:MOSFET COMPL 40V 12A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- FET 型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AOD609_09 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD661 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:16.5 毫歐 @ 12A, 10V, 22.5 毫歐 @ 9.7A, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:760pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W, 31W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5，DPak（4 引線 + 接片），TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD6N50 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
AOD7B65M3 功能描述:IGBT 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.35V @ 15V, 7A 功率 - 最大值:69W 開關(guān)能量:108μJ (開), 99μJ (關(guān)) 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:14nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:6ns/79ns 測(cè)試條件:400V, 7A, 43 歐姆, 15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:212ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
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