參數(shù)資料
型號: AOD608
廠商: ALPHA
英文描述: Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: 增強模式互補場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 7/9頁
文件大?。?/td> 221K
代理商: AOD608
AO
D608
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
0
5
10
15
20
25
30
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-3V
-3.5V
-4.5V
-10V
-4V
-5V
-6V
0
5
10
15
20
25
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-10A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-4A
40
50
60
70
80
90
100
2
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-10A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOL1400 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1400L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1401L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOL1408 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AOD609 功能描述:MOSFET COMPL 40V 12A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道(雙) FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR
AOD609_09 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD661 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16.5 毫歐 @ 12A, 10V, 22.5 毫歐 @ 9.7A, 10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):10nC @ 4.5V, 15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 15V 功率 - 最大值:15.6W, 31W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-5,DPak(4 引線 + 接片),TO-252AD 供應(yīng)商器件封裝:TO-252-4L 標準包裝:2,500
AOD6N50 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
AOD7B65M3 功能描述:IGBT 650V 7A TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 零件狀態(tài):在售 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.35V @ 15V, 7A 功率 - 最大值:69W 開關(guān)能量:108μJ (開), 99μJ (關(guān)) 輸入類型:標準 柵極電荷:14nC 25°C 時 Td(開/關(guān))值:6ns/79ns 測試條件:400V, 7A, 43 歐姆, 15V 反向恢復(fù)時間(trr):212ns 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak) 標準包裝:2,500