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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOD409L |
| 廠商： | ALPHA |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | AOD409L |
AOD409
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
0.001
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)
Z
θ
J
T
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θ
JA
.R
θ
JA
R
θ
JA
=50°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
10
0.00001
15
20
25
30
0.0001
0.001
Time in avalanche, t
A
(s)
Figure 12: Single Pulse Avalanche capability
-
D
(
0
10
20
30
40
50
60
70
0
25
50
75
100
125
150
175
T
CASE
(°C)
Figure 13: Power De-rating (Note B)
P
0
5
10
15
20
25
30
0
25
50
75
T
CASE
(°C)
100
125
150
175
Figure 14: Current De-rating (Note B)
C
D
(
DD
D
A
V
BV
I
L
t
=
T
A
=25°C
0
0.001
10
20
30
40
50
60
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse Width (s)
Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Ambient (Note H)
P
T
A
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD4112 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4120 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4128 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD412 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD412L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| AOD410 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
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| AOD4102_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AOD4102L | 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），19A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:432pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），21W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
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