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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AOD409L |
| 廠商： | ALPHA |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 的P -溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 185K |
| 代理商： | AOD409L |
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Typ
16.7
40
1.9
Max
25
50
2.5
R
θ
JC
°C
V
V
±20
-26
-18
-60
30
2.5
1.6
A
-26
134
60
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
G
Drain-Source Voltage
-60
Pulsed Drain Current
C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.1mH
C
Maximum
Units
Parameter
T
C
=25°C
T
C
=100°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
I
D
P
DSM
A
mJ
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
C
Steady-State
Steady-State
°C/W
°C/W
W
T
A
=70°C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 175
Power Dissipation
A
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
AOD409
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -60V
I
D
= -26A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 40m
(V
GS
= -10V) @ -20A
R
DS(ON)
< 55m
(V
GS
= -4.5V)
General Description
The AOD409 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
, low gate charge and low
gate resistance. With the excellent thermal resistance
of the DPAK package, this device is well suited for
high current load applications.
Standard Product
AOD409 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AOD409L is a Green Product
ordering option. AOD409 and AOD409L are
electrically identical.
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
G
D
S
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AOD4112 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4120 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD4128 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD412 | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AOD412L | N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| AOD4102_10 | 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET |
| AOD4102L | 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A（Ta），19A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.1nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:432pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.2W（Ta），21W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 12A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 |
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