參數(shù)資料
型號(hào)： AOD4120
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： AOD4120
1.4
193
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
17
40
3.6
Max
25
50
4.5
R
θ
JC
T
A
=70°C
1.7
Power Dissipation
A
T
A
=25°C
P
DSM
2.5
25
33
16.7
A
mJ
W
Junction and Storage Temperature Range
A
P
D
°C
-55 to 175
T
C
=100°C
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
13
I
D
25
23
75
Pulsed Drain Current
C
Power Dissipation
B
T
C
=25°C
Continuous Drain
Current
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±16
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
20
Maximum
Units
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JA
°C/W
°C/W
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Case
B
W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
AOD4120
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 25A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
<18 m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
<25 m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
<75 m
(V
GS
= 2.5V)
UIS Tested
Rg,Ciss,C18
General Description
The AOD4120 uses advanced trench technology and
design to provide excellent R
DS(ON)
with low gate
charge. This device is suitable for use in PWM, load
switching and general purpose applications. Standard
product
AOD4120 is Pb-free (meets ROHS & Sony
259 specifications). AOD4120L is a Green Product
ordering option. AOD4120 and AOD4120L are
electrically identical.
G
D
S
G D S
TO-252
D-PAK
Top View
Drain Connected to
Tab
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AOD4128 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD412 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD412L N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD4132 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AOD413Y P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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AOD4120L 功能描述:MOSFET N-CH TO252 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:25A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:18nC @ 10V Vgs（最大值）:±16V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:900pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），33W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:TO-252，（D-Pak） 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500
AOD4124 功能描述:MOSFET N-CH 100V 54A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4126 功能描述:MOSFET N-CH 100V 43A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SDMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AOD4128 功能描述:MOSFET N-CH 25V 60A TO252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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