參數資料
型號： AOD4120
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強型場效應管
文件頁數： 4/5頁
文件大?。?/td> 136K
代理商： AOD4120
AOD4120
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
1.4
494
692
593
830
18
59
0
2
4
6
8
10
0
3
6
9
12
15
Q
g
(nC)
Figure 7: Gate-Charge Characteristics
V
G
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
0
5
10
15
20
V
DS
(Volts)
Figure 8: Capacitance Characteristics
C
C
iss
0
0.0001
40
80
120
160
200
0.001
0.01
0.1
1
10
Pulse Width (s)
Figure 10: Single Pulse Power Rating Junction-to-
Case (Note F)
P
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Pulse Width (s)
Figure 11: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note F)
Z
θ
J
T
C
oss
C
rss
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
Single Pulse
D=T
on
/T
T
J,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θ
JC
.R
θ
JC
R
θ
JC
=4.5°C/W
T
on
T
P
D
In descending order
D=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse
T
J(Max)
=175°C
T
C
=25°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V
DS
(Volts)
I
D
Figure 9: Maximum Forward Biased Safe
Operating Area (Note F)
10
μ
s
100
μ
s
1ms
DC
R
DS(ON)
limited
T
J(Max)
=175°C, T
C
=25°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
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