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參數(shù)資料
| 型號： | AO6602 |
| 廠商： | ALPHA |
| 英文描述： | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 增強模式互補場效應晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 6/7頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | AO6602 |
AO6602
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS: P-CHANNEL
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(Volts)
Fig 1: On-Region Characteristics
-
D
V
GS
=-4.5V
-5V
-10V
-3.5V
-6V
-7V
-9V
-8V
-4V
-3V
0
2
4
6
8
10
1
2
3
4
5
6
-V
GS
(Volts)
Figure 2: Transfer Characteristics
-
D
(
50
100
150
200
0
1
2
3
4
5
6
-I
D
(A)
Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
R
D
)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(Volts)
Figure 6: Body-Diode Characteristics
-
S
25°C
125°C
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
25
50
75
100
125
150
175
Temperature (°C)
Figure 4: On-Resistance vs. Junction
Temperature
N
V
GS
=-10V
I
D
=-2.7A
V
GS
=-4.5V
I
D
=-2A
0
50
100
150
200
250
300
3
4
5
6
7
8
9
10
-V
GS
(Volts)
Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
R
D
)
25°C
125°C
V
DS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
I
D
=-2.7A
25°C
125°C
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AO6602L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO6603 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO6603L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO6605 | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| AO6605L | Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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