參數(shù)資料
型號： AO4707
廠商： ALPHA
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
中文描述： P通道增強(qiáng)模式場的肖特基二極管晶體管
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大小： 198K
代理商： AO4707
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
FM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
R
θ
JL
40
°C/W
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
67
25
75
30
Steady-State
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
R
θ
JA
36
°C/W
54
21
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
t
≤
10s
R
θ
JA
24
75
30
Maximum Junction-to-Lead
C
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Typ
Max
40
-55 to 150
P
D
3
2
3
2
W
5
A
3.5
30
A
-6.6
-40
Pulsed Drain Current
B
Schottky reverse voltage
Gate-Source Voltage
±20
-8
Continuous Drain Current
A
I
D
Parameter
Drain-Source Voltage
MOSFET
-30
Schottky
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Power Dissipation
30
Continuous Forward Current
A
Pulsed Forward Current
B
I
F
Steady-State
Steady-State
AO4707
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8A (V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 33m
(V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 56m
(V
GS
=
-
4.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 30V, I
F
= 3A, V
F
<0.52V@3A
General Description
The AO4707 uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
and low gate charge. A
Schottky diode is provided to facilitate the
implementation of non-synchronous DC-DC
converters.
Standard Product AO8820 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications). AO8820L
is a Green Product ordering option. AO8820 and
AO8820L are electrically identical.
G
D
S
A
K
G
S
S
A
D/K
D/K
D/K
D/K
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4708 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4709 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4709L P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4710 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4708 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4709 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4709L 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4710_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
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