參數(shù)資料
型號(hào)： AO4712
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 153K
代理商： AO4712
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
R
θ
JL
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
16
38
3.1
2.0
A
mJ
°C
-55 to 150
A
9.1
60
W
Maximum
30
Units
V
V
Parameter
Drain-Source Voltage
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Steady-State
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
°C/W
°C/W
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
±12
11.2
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
I
DSM
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
t
≤
10s
R
θ
JA
Pulsed Drain Current
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
AO4712
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=11.2A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14.5m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 18m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
The AO4712 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
,and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AO4712 is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
SRFET
TM
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4714 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4720 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800B Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4712_12 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4714 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4714_11 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4716 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4718 功能描述:MOSFET N CH 30V 15V SOIC 8 RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*