參數(shù)資料
型號： AO4720
廠商： ALPHA
英文描述： N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 135K
代理商： AO4720
10 Sec
Steady State
30
V
DS
V
GS
13
10.5
10
7.8
I
DM
I
AR
E
AR
3.1
2.0
1.7
1.1
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
Units
V
V
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
Pulsed Drain Current
B
I
DSM
±20
Parameter
Symbol
Max
T
A
=25°C
T
A
=70°C
°C
-55 to 150
A
W
A
A
120
21
mJ
66
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Drain-Source Voltage
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
°C/W
Thermal Characteristics
Units
°C/W
°C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Lead
C
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
AO4720
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=13A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 17.5m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
The AO4720 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
,and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AO4720 is Pb-free (meets ROHS
& Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SRFET
TM
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4800A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800B Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800BL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4801A Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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