參數(shù)資料
型號(hào)： AO4801A
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 135K
代理商： AO4801A
Symbol
V
DS
V
GS
10 Sec
Steady State
5.6
4.5
4.2
3.4
I
DM
I
AR
E
AR
2.0
1.3
1.1
0.7
T
J
, T
STG
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Symbol
Typ
48
74
35
Max
62.5
110
40
t
≤
10s
Steady-State
Steady-State
R
θ
JL
V
A
W
R
θ
JA
mJ
°C
11
18
°C/W
°C/W
°C/W
-55 to 150
Maximum Junction-to-Lead
C
Thermal Characteristics
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
AF
Pulsed Drain Current
B
-30
±12
-30
Drain-Source Voltage
T
A
=70°C
T
A
=25°C
I
DSM
Parameter
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Units
Avalanche Current
B
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
B
Units
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
AO4801A
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
=-5.6A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 42m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 52m
(V
GS
= 4.5V)
R
DS(ON)
< 75m
(V
GS
= 2.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
The AO4801A uses advanced trench technology to
provide excellent R
DS(ON)
with low gate charge. This
device is suitable for use as a load switch or in PWM
applications. Standard Product AO4801A is Pb-free
(meets ROHS & Sony 259 specifications)
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
Top View
G1
D1
S1
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4801 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4801L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4802 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4802L Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4803 Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4801A_11 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V P-Channel MOSFET
AO4801AL 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:48 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4801AL_001 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:48 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:780pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4801AS 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
AO4801HL 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 零件狀態(tài):過期 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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