參數(shù)資料
型號： AO4801
廠商： ALPHA
英文描述： Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述： 雙P溝道增強型場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 114K
代理商： AO4801
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
48
74
35
Max
62.5
110
40
R
θ
JL
W
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t
≤
10s
Steady-State
R
θ
JA
±12
-5
Gate-Source Voltage
Continuous Drain
Current
A
Pulsed Drain Current
B
Drain-Source Voltage
-30
Maximum
Units
V
V
Parameter
T
A
=25°C
T
A
=70°C
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
-4.2
-30
2
1.44
Power Dissipation
A
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
P
D
°C
-55 to 150
I
D
AO4801
Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -5 A (V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 49m
(V
GS
= -10V)
R
DS(ON)
< 64m
(V
GS
= -4.5V)
R
DS(ON)
< 120m
(V
GS
= -2.5V)
General Description
The AO4801 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
, low gate charge and operation with gate
voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a
load switch or in PWM applications. It may be used in a
common drain arrangement to form a bidirectional blocking
switch.
Standard Product AO4801 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications). AO4801L is a Green Product
ordering option. AO4801 and AO4801L are electrically
identical.
G1
S1
G2
S2
D1
D1
D2
D2
1
2
3
4
8
7
6
5
G1
D1
S1
SOIC-8
G2
D2
S2
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
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PDF描述
AO4801L Dual P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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