參數(shù)資料
型號(hào)： AO4709L
廠商： ALPHA
英文描述： P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor with Schottky Diode
中文描述： P通道增強(qiáng)模式場(chǎng)的肖特基二極管晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 201K
代理商： AO4709L
Symbol
V
DS
V
GS
Units
V
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
DM
V
KA
V
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
FM
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
J
, T
STG
°C
Symbol
Units
R
θ
JL
R
θ
JL
Steady-State
30
40
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
Power Dissipation
30
4.4
3.2
30
3
2
Schottky reverse voltage
Continuous Forward Current
A
Pulsed Forward Current
B
I
F
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
MOSFET
-30
±20
-8
-6.6
-40
Schottky
Continuous Drain Current
A
Pulsed Drain Current
B
I
D
A
A
P
D
3
2
W
Junction and Storage Temperature Range
-55 to 150
Parameter: Thermal Characteristics MOSFET
Maximum Junction-to-Ambient
A
Typ
24
Max
-55 to 150
°C/W
54
21
Thermal Characteristics Schottky
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Lead
C
t
≤
10s
R
θ
JA
75
t
≤
10s
R
θ
JA
36
40
°C/W
Steady-State
67
25
75
30
Steady-State
AO4709
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
with Schottky Diode
Features
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8A (V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 33m
(V
GS
=
-
10V)
R
DS(ON)
< 56m
(V
GS
=
-
4.5V)
SCHOTTKY
V
DS
(V) = 30V,IF = 3A, VF<0.5V@1A
General Description
The AO4709 uses advanced trench technology to provide
excellent R
DS(ON)
and low gate charge. A Schottky diode is
provided to facilitate the implementation of non-
synchronous DC-DC converters.
Standard Product
AO4709 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259
specifications). AO4709L is a Green Product ordering
option. AO4709 and AO4709L are electrically identical.
G
D
S
A
K
G
S
S
A
D/K
D/K
D/K
D/K
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC-8
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4710 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4714 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4720 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
AO4710 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4710_10 制造商:AOSMD 制造商全稱(chēng):Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4710L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:12.7A（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:43nC @ 10V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:3.1W（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:11.8 毫歐 @ 12.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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