參數(shù)資料
型號: AO4710
廠商: ALPHA
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 1/5頁
文件大?。?/td> 543K
代理商: AO4710
Symbol
V
DS
V
GS
I
DM
I
AR
E
AR
T
J
, T
STG
Symbol
Typ
32
60
17
Max
40
75
24
R
θ
JL
Pulsed Drain Current
B
Avalanche Current
C
Repetitive avalanche energy L=0.3mH
C
60
22
73
T
A
=70°C
Continuous Drain
Current
AF
T
A
=25°C
Maximum Junction-to-Lead
C
Steady-State
°C/W
Thermal Characteristics
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
A
Maximum Junction-to-Ambient
A
Units
°C/W
°C/W
t ≤ 10s
Steady-State
R
θ
JA
Absolute Maximum Ratings T
A
=25°C unless otherwise noted
Parameter
V
V
±12
12.7
10
Gate-Source Voltage
Drain-Source Voltage
30
I
DSM
Power Dissipation
Junction and Storage Temperature Range
T
A
=25°C
T
A
=70°C
P
DSM
Maximum
Units
°C
-55 to 150
A
3.1
2.0
W
A
A
mJ
AO4710
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SRFET
TM
Features
V
DS
(V) = 30V
I
D
=12.7A (V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 11.8m
(V
GS
= 10V)
R
DS(ON)
< 14.2m
(V
GS
= 4.5V)
UIS TESTED!
Rg,Ciss,Coss,Crss Tested
General Description
SRFET
TM
The AO4710 uses advanced trench
technology with a monolithically integrated Schottky
diode to provide excellent R
DS(ON)
,and low gate
charge. This device is suitable for use as a low side
FET in SMPS, load switching and general purpose
applications.
Standard Product AO4710 is Pb-free (meets ROHS &
Sony 259 specifications).
D
S
G
G
S
S
S
D
D
D
D
SRFET
TM
S
oft
R
ecovery MOS
FET
:
Integrated Schottky Diode
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4714 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4720 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4800AL Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
AO4710_10 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET
AO4710L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):43nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11.8 毫歐 @ 12.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4712_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET