參數(shù)資料
型號: AO4710
廠商: ALPHA
英文描述: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
中文描述: N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 5/5頁
文件大小: 543K
代理商: AO4710
AO4710
TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS
DYNAMIC PARAMETERS
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Junction Temperature
I
R
VDS=12V
VDS=24V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
0
50
100
150
200
Temperature (°C)
Figure 13: Diode Forward voltage vs. Junction
Temperature
V
S
(
0
5
10
15
20
25
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 14: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. Conduction Current
Q
r
0
2
4
6
8
I
di/dt=800A/us
0
3
6
9
12
15
0
5
10
15
20
25
30
Is (A)
Figure 15: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. Conduction Current
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
S
I
S
=1A
10A
20A
0
5
10
15
20
25
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A)
Figure 16: Diode Reverse Recovery Charge and
Peak Current vs. di/dt
Q
r
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
0
3
6
9
12
15
18
0
200
400
600
800
1000
di/dt (A)
Figure 17: Diode Reverse Recovery Time and Soft
Coefficient vs. di/dt
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
S
di/dt=800A/us
125oC
125oC
125oC
125oC
125oC
125o
125oC
125oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
25oC
Is=20A
Is=20A
Qrr
Irm
trr
Qrr
Irm
trr
S
S
5A
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.
www.aosmd.com
相關(guān)PDF資料
PDF描述
AO4712 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO4714 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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AO4710L 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:
AO4710L_101 功能描述:MOSFET P-CH 8SOIC 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12.7A(Ta) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):43nC @ 10V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):2376pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管(體) 功率耗散(最大值):3.1W(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):11.8 毫歐 @ 12.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
AO4712 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:SRFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
AO4712_12 制造商:AOSMD 制造商全稱:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:30V N-Channel MOSFET