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參數(shù)資料
| 型號： | AM50DL128BG |
| 英文描述： | Am50DL128BG - Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | Am50DL128BG -堆疊式多芯片封裝（MCP）閃存和SRAM |
| 文件頁數(shù)： | 62/70頁 |
| 文件大?。?/td> | 1042K |
| 代理商： | AM50DL128BG |
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May 19, 2003
Am50DL9608G
61
P R E L I M I N A R Y
PSEUDO SRAM AC CHARACTERISTICS
Read Cycle
Notes:
1. WE# = V
IH
.
2. t
HZ
and t
OHZ
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not referenced to output
voltage levels.
3. At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max.) is less than t
LZ
(Min.) both for a given device and from device to device
interconnection.
4. Do not access device with cycle timing shorter than t
RC
for continuous periods < 10 μs.
Figure 29.
Pseudo SRAM Read Cycle
Data Valid
High-Z
t
RC
CE#1s
Address
OE#
Data Out
t
OH
t
AA
t
CO1
t
OE
t
OLZ
t
BLZ
t
LZ
t
OHZ
t
HZ
CE2s
t
CO2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM50DL128CG | 2 x 64 Mbit (8 M x 8-Bit/4 M x 16-Bit) CMOS and 64 Mbit (2 M x 16-Bit) Pseudo Static RAM (Preliminary) |
| AM50DL128CH | Am50DL128CH - Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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| AM52-0001SMB | 1.2 W High Efficiency Power Amplifier 800 - 960 MHz |
| AM52-0001TR | 1.2 W High Efficiency Power Amplifier 800 - 960 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM50DL128BG85I | 制造商:Spansion 功能描述:COMBO 4MX16/8MX8 FLASH + 2MX16 PSRAM 3V/3.3V 73FBGA - Trays |
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| AM50DL128BH56I | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
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