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參數(shù)資料
| 型號： | AM42BDS640AGBD9IT |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Package (MCP) Flash Memory and SRAM |
| 中文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA93 |
| 封裝： | 8 X 11.60 MM, FBGA-93 |
| 文件頁數(shù)： | 68/72頁 |
| 文件大小： | 1060K |
| 代理商： | AM42BDS640AGBD9IT |
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November 1, 2002
Am42BDS640AG
69
P R E L I M INARY
SRAM DATA RETENTION
Notes:
1. CE1#s
≥ V
CC – 0.2 V, CE2s ≥ VCC – 0.2 V (CE1#s controlled) or CE2s ≤ 0.2 V (CE2s controlled).
2. Typical values are not 100% tested.
Figure 39.
CE1#s Controlled Data Retention Mode
Figure 40.
CE2s Controlled Data Retention Mode
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Min
Typ
Max
Unit
V
DR
V
CC for Data Retention
CS1#s
≥ V
CC – 0.2 V (Note 1)
1.0
2.2
V
I
DR
Data Retention Current
V
CC = 1.2 V, CE1#s ≥ VCC – 0.2 V
1.0
8A
t
SDR
Data Retention Set-Up Time
See data retention waveforms
0ns
tRDR
Recovery Time
tRC
ns
VDR
VCC
2.7V
2.2V
CE1#s
GND
Data Retention Mode
CE1#s
≥ VCC - 0.2 V
tSDR
tRDR
VCC
2.7 V
0.4 V
VDR
CE2s
GND
Data Retention Mode
tSDR
tRDR
CE2s < 0.2 V
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| AM29F017D-150FI | LM340/LM78XX Series 3-Terminal Positive Regulators; Package: TO-3; No of Pins: 2; Qty per Container: 50; Container: Tray |
| AM29F017D-70E4C | LM340/LM78XX Series 3-Terminal Positive Regulators; Package: TO-3; No of Pins: 2; Qty per Container: 50; Container: Tray |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM42BDS640AGTC8IT | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Memory and 16 Mbit (1 M x 16-Bit) Static RAM |
| AM42BDS640AGTC9IS | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Memory and 16 Mbit (1 M x 16-Bit) Static RAM |
| AM42BDS640AGTC9IT | 制造商:AMD 制造商全稱:Advanced Micro Devices 功能描述:64 Megabit (4 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only, Simultaneous Operation, Burst Mode Flash Memory and 16 Mbit (1 M x 16-Bit) Static RAM |
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