參數(shù)資料
型號： AM1011-300
廠商： 意法半導體
英文描述： RF & Microwave Transistors Avionics Applications(用于航空電子的RF和微波晶體管)
中文描述： 射頻
文件頁數(shù)： 1/5頁
文件大?。?/td> 58K
代理商： AM1011-300
RF & MICROWAVE TRANSISTORS
AVIONICS APPLICATIONS
.400 x .600 2LFL (M207)
hermetically sealed
.
REFRACTORY/GOLD METALLIZATION
.
EMITTER SITE BALLASTING
.
LOW RF THERMAL RESISTANCE
.
INPUT/OUTPUT MATCHING
.
OVERLAY GEOMETRY
.
METAL/CERAMIC HERMETIC PACKAGE
.
P
OUT
=
325 W MIN. WITH 7.7 dB GAIN
.
1030/1090 MHZ OPERATION
DESCRIPTION
The AM1011-300 is a rugged, Class C common
base device specifically designed for new Mode-
S interrogator and transponder applications.
Minimal amplitude droop over the heavy Mode-S
pulse burst is guaranteed by a thermal design in-
corporating an overlay site-ballasted die geome-
try.
PIN CONNECTION
BRANDING
AM1011-300
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
case
=
25
°
C)
Symbol
P
DISS
I
C
V
CC
T
J
T
STG
Parameter
Value
1070
Unit
W
Power Dissipation
Device Current*
Collector-Supply Voltage*
Junction Temperature (Pulsed RF operation)
(T
C
≤
100
°
C)*
36
43
A
V
°
C
°
C
+250
Storage Temperature
65 to +200
R
TH(j-c)
Junction-Case Thermal Resistance*
0.14
°
C/W
*
Applies only to rated RF amplifier operation.
AM1011-300
1. Collector
2. Base
3. Emitter
4. Base
THERMAL DATA
ORDER CODE
AM1011-300
December 9, 1997
1/5
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PDF描述
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