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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | AGR26125EU |
| 廠商： | TRIQUINT SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/9頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | AGR26125EU |
E
5
2
1
6
2
R
G
A
125 W, 2.5 GHz—2.7 GHz, N-Channel E-Mode, Lateral MOSFET
Typical Performance Characteristics (continued)
Test Conditions:
Four-carrier W-CDMA 3GPP test model 1, peak-to-average = 9.8 dB @ 0.01% CCDF, F = 2595 MHz, VDD = 28 V, IDQ = 1200 mA.
Figure 8. Four-carrier W-CDMA Performance
-50
-45
-40
-35
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
POUT (W)Z
AC
LR
1,
AC
LR
2
(d
Bc
)Z
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
PA
E
(%)
,G
AI
N
(dB
)Z
PAE
GAIN
ACLR1
ACLR2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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