2-70 Revision 16 1.2 V DC Core Voltage Table 2-94 RAM4K9 Commercial-Case Cond" />
參數(shù)資料
型號(hào)： AGLP125V2-CS281I
廠商： Microsemi SoC
文件頁(yè)數(shù)： 118/134頁(yè)
文件大小： 0K
描述： IC FPGA IGLOO PLUS 125K 281-CSP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 184
系列： IGLOO PLUS
邏輯元件/單元數(shù)： 3120
RAM 位總計(jì)： 36864
輸入/輸出數(shù)： 212
門數(shù)： 125000
電源電壓： 1.14 V ~ 1.575 V
安裝類型： 表面貼裝
工作溫度： -40°C ~ 85°C
封裝/外殼： 281-TFBGA，CSBGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 281-CSP（10x10）
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)第50頁(yè)第51頁(yè)第52頁(yè)第53頁(yè)第54頁(yè)第55頁(yè)第56頁(yè)第57頁(yè)第58頁(yè)第59頁(yè)第60頁(yè)第61頁(yè)第62頁(yè)第63頁(yè)第64頁(yè)第65頁(yè)第66頁(yè)第67頁(yè)第68頁(yè)第69頁(yè)第70頁(yè)第71頁(yè)第72頁(yè)第73頁(yè)第74頁(yè)第75頁(yè)第76頁(yè)第77頁(yè)第78頁(yè)第79頁(yè)第80頁(yè)第81頁(yè)第82頁(yè)第83頁(yè)第84頁(yè)第85頁(yè)第86頁(yè)第87頁(yè)第88頁(yè)第89頁(yè)第90頁(yè)第91頁(yè)第92頁(yè)第93頁(yè)第94頁(yè)第95頁(yè)第96頁(yè)第97頁(yè)第98頁(yè)第99頁(yè)第100頁(yè)第101頁(yè)第102頁(yè)第103頁(yè)第104頁(yè)第105頁(yè)第106頁(yè)第107頁(yè)第108頁(yè)第109頁(yè)第110頁(yè)第111頁(yè)第112頁(yè)第113頁(yè)第114頁(yè)第115頁(yè)第116頁(yè)第117頁(yè)當(dāng)前第118頁(yè)第119頁(yè)第120頁(yè)第121頁(yè)第122頁(yè)第123頁(yè)第124頁(yè)第125頁(yè)第126頁(yè)第127頁(yè)第128頁(yè)第129頁(yè)第130頁(yè)第131頁(yè)第132頁(yè)第133頁(yè)第134頁(yè)
IGLOO PLUS DC and Switching Characteristics
2-70
Revision 16
1.2 V DC Core Voltage
Table 2-94 RAM4K9
Commercial-Case Conditions: TJ = 70°C, Worst-Case VCC = 1.14 V
Parameter
Description
Std.
Units
tAS
Address setup time
1.28
ns
tAH
Address hold time
0.25
ns
tENS
REN, WEN setup time
1.25
ns
tENH
REN, WEN hold time
0.25
ns
tBKS
BLK setup time
2.54
ns
tBKH
BLK hold time
0.25
ns
tDS
Input data (DIN) setup time
1.10
ns
tDH
Input data (DIN) hold time
0.55
ns
tCKQ1
Clock High to new data valid on DOUT (output retained, WMODE = 0)
5.51
ns
Clock High to new data valid on DOUT (flow-through, WMODE = 1)
4.77
ns
tCKQ2
Clock High to new data valid on DOUT (pipelined)
2.82
ns
tC2CWWL1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write after write on same address –
applicable to closing edge
0.30
ns
tC2CRWH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable read access after write on same address –
applicable to opening edge
0.32
ns
tC2CWRH1
Address collision clk-to-clk delay for reliable write access after read on same address –
applicable to opening edge
0.44
ns
tRSTBQ
RESET Low to data out Low on DOUT (flow-through)
3.21
ns
RESET Low to data out Low on DOUT (pipelined)
3.21
ns
tREMRSTB
RESET removal
0.93
ns
tRECRSTB
RESET recovery
4.94
ns
tMPWRSTB RESET minimum pulse width
1.18
ns
tCYC
Clock cycle time
10.90
ns
FMAX
Maximum frequency
92
MHz
Notes:
1. For more information, refer to the application note Simultaneous Read-Write Operations in Dual-Port SRAM for Flash-
2. For specific junction temperature and voltage supply levels, refer to Table 2-6 on page 2-6 for derating values.
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