APTM20AM06SG

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數(shù)量
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封裝
批號
價格
說明
操作

APTM20AM06SG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM20AM06SG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

APTM20AM06SG
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯(lián)系人：王小姐
電話：13305449939
地址：上海市靜安區(qū)恒豐路568號恒匯國際大廈903室
1899
MICROCHIP
NA
近兩年
-
查價格、訂購可到京北通宇商城www.jb...

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功能描述
MOSFET MOD PHASE LEG SER/PAR SP6
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> FET
系列
-
標準包裝
10
系列
*

APTM20AM06SG 技術參數(shù)

APTM20AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:333A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 166.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 8mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1184nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:40800pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20AM05FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:317A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20AM04FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:372A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 186A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28900pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120UM95FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 103A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:103A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:114 毫歐 @ 51.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1122nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:30900pF @ 25V 功率 - 最大值:2272W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM120UM70FAG 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 171A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:171A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:80 毫歐 @ 85.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 30mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1650nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:43500pF @ 25V 功率 - 最大值:5000W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DHM16T3G APTM20DHM16TG APTM20DHM20TG APTM20DUM04G APTM20DUM05G APTM20DUM05TG APTM20DUM08TG APTM20DUM10TG APTM20HM08FG APTM20HM10FG APTM20HM16FTG APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG