APTM50A15FT1G

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功能描述
MOSFET MODULE PHASE LEG SP1
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM50A15FT1G 技術(shù)參數(shù)

APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:195A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:217nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:317A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:417A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 208.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:580A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:3.6 毫歐 @ 290A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 15mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:840nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20TDUM16PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 200V 104A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:104A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 52A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:140nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G