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APTM50AM17FG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM50AM17FG
    APTM50AM17FG

    APTM50AM17FG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • APTM50AM17FG
    APTM50AM17FG

    APTM50AM17FG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTM50AM17FG
    APTM50AM17FG

    APTM50AM17FG

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • TUBE

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTM50AM17FG
    APTM50AM17FG

    APTM50AM17FG

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/韓先生

    電話:010-86398446-8061581080972213911315253

    地址:北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -
  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • APTM50AM17FG
    APTM50AM17FG

    APTM50AM17FG

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
APTM50AM17FG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET MODULE PHASE LEG SP6
  • RoHS
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM50AM17FG 技術(shù)參數(shù)
  • APTM50A15FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):25A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 21A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):195A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 74.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):217nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):317A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 158.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:J3 模塊 供應(yīng)商器件封裝:模塊 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):417A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 208.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM03FAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 580A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):580A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 290A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 15mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):840nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):43300pF @ 25V 功率 - 最大值:2270W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG
配單專家

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