APTM50AM19FG

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型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTM50AM19FG
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
SP6
23+
-
微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

APTM50AM19FG
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區(qū)中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
19+
-
瑞智芯只有原裝

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG APTM50AM25FTG APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G

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功能描述
MOSFET MODULE PHASE LEG SP6
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM50AM19FG 技術(shù)參數(shù)

APTM50AM17FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50A15FT1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 25A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:25A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:170nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5448pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM09SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 195A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:195A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 74.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:217nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:12300pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM05SG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 317A J3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:317A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 158.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:448nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:27400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:J3 模塊供應(yīng)商器件封裝:模塊標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM20UM04SAG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 417A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:417A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 208.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:28800pF @ 25V 功率 - 最大值:1560W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG