APTM50AM25FTG

配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： APTM50AM35FTG APTM50AM38FTG APTM50AM38SCTG APTM50AM38STG APTM50AM70FT1G APTM50DAM17G APTM50DAM19G APTM50DAM35TG APTM50DAM38CTG

APTM50AM25FTG PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

APTM50AM25FTG PDF下載

功能描述
MOSFET MODULE PHASE LEG LP8
RoHS
是
類別
半導(dǎo)體模塊 >> FET
系列
-
標(biāo)準(zhǔn)包裝
10
系列
*

APTM50AM25FTG 技術(shù)參數(shù)

APTM50AM24SG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM24SCG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:150A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:434nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:19600pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM19STG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:170A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:19 毫歐 @ 85A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM19FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:163A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:22.5 毫歐 @ 81.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:492nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:22400pF @ 25V 功率 - 最大值:1136W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50AM17FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 90A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 10mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:560nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTM50DAM38TG APTM50DDA10T3G APTM50DDAM65T3G APTM50DHM35G APTM50DHM38G APTM50DHM65T3G APTM50DHM65TG APTM50DHM75TG APTM50DSK10T3G APTM50DSKM65T3G APTM50DUM17G APTM50DUM19G APTM50DUM25TG APTM50DUM35TG APTM50DUM38TG APTM50H10FT3G APTM50H14FT3G APTM50H15FT1G