您好,歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現(xiàn)在的位置:買賣IC網 > A字母型號搜索 > A字母第2569頁 >

APTM20DHM16TG

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
APTM20DHM16TG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM20DHM16TG 技術參數(shù)
  • APTM20DHM16T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 104A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:POWER MOS 7? 包裝:散裝 零件狀態(tài):停產 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):104A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 52A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7220pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM20DHM10G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):175A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 87.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DHM08G 功能描述:MOSFET 2N-CH 200V 208A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)非對稱型 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):208A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 104A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM20DAM10TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 175A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):175A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 87.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):224nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):13700pF @ 25V 功率 - 最大值:694W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20DAM08TG 功能描述:MOSFET N-CH 200V 208A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):208A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 104A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):280nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:781W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM20HM20FTG APTM20HM20STG APTM20SKM04G APTM20SKM05G APTM20SKM08TG APTM20SKM10TG APTM20TAM16FPG APTM20TDUM16PG APTM20UM03FAG APTM20UM04SAG APTM20UM05SG APTM20UM09SG APTM50A15FT1G APTM50AM17FG APTM50AM19FG APTM50AM19STG APTM50AM24SCG APTM50AM24SG
配單專家

在采購APTM20DHM16TG進貨過程中,您使用搜索有什么問題和建議?點此反饋

友情提醒:為規(guī)避購買APTM20DHM16TG產品風險,建議您在購買APTM20DHM16TG相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明:以上所展示的APTM20DHM16TG信息由會員自行提供,APTM20DHM16TG內容的真實性、準確性和合法性由發(fā)布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (m.beike2008.cn) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號