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參數(shù)資料
| 型號： | 68HC12 |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | Advance Information |
| 中文描述： | 推進信息 |
| 文件頁數(shù)： | 99/424頁 |
| 文件大小： | 3495K |
| 代理商： | 68HC12 |
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Flash EEPROM
Operation
68HC(9)12DG128 Rev 1.0
MOTOROLA
Flash EEPROM
99
9-flash
Bootstrap
Operation
Single-Chip Mode
After reset, the CPU controlling the system will begin booting up by
fetching the first program address from address $FFFE.
Normal Operation
The Flash EEPROM allows a byte or aligned word read/write in one bus
cycle. Misaligned word read/write require an additional bus cycle. The
Flash EEPROM array responds to read operations only. Write
operations are ignored.
Program/Erase
Operation
An unprogrammed Flash EEPROM bit has a logic state of one. A bit
must be programmed to change its state from one to zero. Erasing a bit
returns it to a logic one. The Flash EEPROM has a minimum
program/erase life of 100 cycles. Programming or erasing the Flash
EEPROM is accomplished by a series of control register writes and a
write to a set of programming latches.
Programming is restricted to a single byte or aligned word at a time as
determined by internal signal SZ8 and ADDR[0]. The Flash EEPROM
must first be completely erased prior to programming final data values.
It is possible to program a location in the Flash EEPROM without erasing
the entire array if the new value does not require the changing of bit
values from zero to one.
Read/Write Accesses During Program/Erase
— During program or
erase operations, read and write accesses may be different from those
during normal operation and are affected by the state of the control bits
in the Flash EEPROM control register (FEECTL). The next write to any
valid address to the array after LAT is set will cause the address and
data to be latched into the programming latches. Once the address and
data are latched, write accesses to the array will be ignored while LAT is
set. Writes to the control registers will occur normally.
Program/Erase Verification
— When programming or erasing the
Flash EEPROM array, a special verification method is required to ensure
that the program/erase process is reliable, and also to provide the
longest possible life expectancy. This method requires stopping the
program/erase sequence at periods of t
PPULSE
(t
EPULSE
for erasing) to
determine if the Flash EEPROM is programmed/erased. After the
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 68HC12DG128 | Advance Information |
| 68HC912DG128PV8 | Advance Information |
| 68HC912DG128VPV8 | Advance Information |
| 68HC912DG128 | Advance Information |
| 68HC12DG128CPV8 | Advance Information |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 68HC12D60 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Pin out and Signal Descriptions |
| 68HC12DG128 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
| 68HC12DG128CPV8 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
| 68HC12DG128MPV8 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
| 68HC12DG128PV8 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Advance Information |
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