參數(shù)資料
型號： 2SK1960
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應晶體管的高速開關
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SK1960
2SK1960
4
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
GATE TO SOURCE VOLTAGE
R
D
0
0.4
0.3
0.2
0.1
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
I
S
0.4
10
1
0.1
0.01
0.001
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
C
i
,
r
,
o
1
1 000
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
t
d
,
r
,
d
,
f
0.1
1 000
I
D
- Drain Current - A
2
4
6
8
10
I
D
= 0.1 A
1.5 A
3 A
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
500
200
100
50
20
10
V
GS
= 0
f = 1 MHz
2
5
10
20
50
100
C
oss
C
rss
500
200
100
50
20
10
0.2
0.5
1
2
5
10
t
r
t
f
t
d(off)
t
d(on)
C
iss
V
DD
= 3 V
V
GS(on)
= 3 V
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PDF描述
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參數(shù)描述
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