參數(shù)資料
型號： 2SK1960
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SK1960
2SK1960
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain Cut-Off Current
I
DSS
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0
1.0
μ
A
Gate Leakage Current
I
GSS
V
GS
=
±
7.0 V, V
DS
= 0
±
3.0
μ
A
Gate Cut-Off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 3 V, I
D
= 1 mA
0.5
0.8
1.1
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 3 V, I
D
= 1.5 A
2.0
S
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 1.5 V, I
D
= 0.1 A
0.35
0.8
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)2
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 1.5 A
0.17
0.3
Drain to Source On-State Resistance
R
DS(on)3
V
GS
= 4.0 V, I
D
= 1.5 A
0.12
0.2
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 3 V, V
GS
= 0, f = 1.0 MHz
370
pF
Output Capacitance
C
oss
320
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
115
pF
Turn-ON Delay Time
t
d(on)
V
DD
= 3 V, I
D
= 1.5 A, V
GS(on)
= 3 V,
R
G
= 10
, R
L
= 2
70
ns
Rise Time
t
r
200
ns
Turn-OFF Delay Time
t
d(off)
150
ns
Fall Time
t
f
200
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK1971 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2007 Silicon N-Channel MOS FET
2SK2008 Silicon N-Channel MOS FET
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參數(shù)描述
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