參數(shù)資料
型號： 2SK1960
廠商： NEC Corp.
英文描述： N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： N溝道場效應(yīng)晶體管的高速開關(guān)
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： 2SK1960
2SK1960
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
d
0
100
80
60
40
20
T
A
- Ambient Temperature - C
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
I
D
1
10
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
I
D
0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
TRANSFER CHARACTERISTICS
I
D
0
10
1
0.1
0.01
0.001
V
GS
- Gate to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
|
f
|
0.01
10
I
D
- Drain Current - A
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
R
D
0.01
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
- Drain Current - A
30
60
90
120
150
5
2
1
0.5
0.2
0.1
2
5
10
50
20
Single
pulse
PW=100ms
DC
10ms
1ms
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4
30V
25V
2.0 V
1.8 V
V
GS
= 1.5 V
1
2
3
4
V
DS
= 3 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
3
1
0.3
0.1
V
DS
= 3 V
0.03
0.1
0.3
1
3
25 C
75 C
T
A
= –25 C
0.1
1
10
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
V
GS
= 1.5 V
T
A
= 75 C
25 C
–25 C
V
GS
= 2.5 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1961 N-Channel Junction Silicon FET for High-Frequency Low-Noise Amplifier Applications(高頻低噪聲放大器應(yīng)用的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2SK1968 Silicon N-Channel MOS FET
2SK1971 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2007 Silicon N-Channel MOS FET
2SK2008 Silicon N-Channel MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK1960-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SEMICONDUCTOR, DESCRETE, MOS, FET, N CHA
2SK1960T1AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
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2SK198 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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