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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ357 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH |
| 中文描述： | P溝道MOS場效應(yīng)晶體管的高速交換器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | 2SJ357 |
2SJ357
7
Data Sheet D10803EJ3V0DS00
[MEMO]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ358 | P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH |
| 2SJ361 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ362 | Very High-Speed Switching Applications |
| 2SJ363 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ381 | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ357-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) MP-2 T/R Cut Tape |
| 2SJ358 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH |
| 2SJ358-T1-AZ | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R |
| 2SJ360 | 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistors |
| 2SJ360(F) | 功能描述:MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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