參數(shù)資料
型號(hào)： 2SJ357
廠商： NEC Corp.
英文描述： P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
中文描述： P溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的高速交換器
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大小： 64K
代理商： 2SJ357
2SJ357
4
Data Sheet D10803EJ3V0DS00
–10
–0.2
–1
–0.1
–0.01
V
SD
– Source to Drain Voltage – V
I
S
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
–0.0001
–0.001
V
= 0
Pulsed
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
–1.2
10000
–1
1000
100
V
DS
– Drain to Source Voltage – V
C
i
,
o
,
r
CAPACITANCE vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
10
V
= 0
f = 1 MHz
–10
–100
C
iss
C
oss
C
rss
1000
0.1
100
10
t
d
,
r
,
d
,
r
SWITCHING CHARACTERISTICS
V
DD
= –25 V
V
GS(ON)
= –10 V
1
10
t
d(on)
t
d(off)
t
f
t
r
I
D
– Drain Current – A
1000
–0.05
100
10
t
r
V
= 0
di/dt = 50 A/ s
–1
–10
I
D
– Diode Forward Current – A
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
–0.1
–0.5
–5
1000
1 m
10
0.1
r
t
Single Pulse
Using ceramic board
of 7.5 cm
2
×
0.7 mm
10
100
PW – Pulse Width – s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
10 m
1
1
100
100 m
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SJ358 P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
2SJ361 Silicon P-Channel MOS FET
2SJ362 Very High-Speed Switching Applications
2SJ363 Silicon P-Channel MOS FET
2SJ381 Ultrahigh-Speed Switching Applications
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參數(shù)描述
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2SJ358 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:P-CHANNEL MOS FET FOR HIGH-SPEED SWITCH
2SJ358-T1-AZ 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-62 T/R
2SJ360 制造商:KEXIN 制造商全稱:Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistors
2SJ360(F) 功能描述:MOSFET P-Ch 4-V gate drive RDS 0.55Ohm -60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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