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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ317 |
| 廠(chǎng)商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SJ317 |
2SJ317
7
1000
500
200
100
50
20
10
–0.1 –0.2
Drain to Source Voltage V (V)
–0.5 –1.0
–2
–5
–10
T
V = 0
f = 1 MHz
Coss
Ciss
Crss
Typical Capacitance vs.
Drain to Source Voltage
–4
–3
–2
–1
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
Source to Drain Voltage V (V)
R
D
Pulse test
V = –4 V
–2.5 V
V = 0 V
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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