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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SJ317 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET(P溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管性（P溝道MOSFET的） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SJ317 |
2SJ317
6
–0.5
–0.4
–0.3
–0.2
–0.1
0
–1
–2
–3
–4
–5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
I = –1 A
Pulse test
–0.5 A
–0.2 A
–0.1 A
V
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
–25
0
25
50
75
100
Case Temperature Tc (°C)
D
D
V = –4 V
Pulse test
–0.5 A
–1 A
I = –2 A
D
–1 A, –0.5A
R
0
V = –2.5 V
I = –2 A
D
Drain to Source on State Resintance
vs. Case Temperature
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 2SJ317NYTLE | 制造商:RENESAS 功能描述:RoHS COMPLIANT |
| 2SJ317NYTL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱(chēng):Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ317NYTR-E | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:DISCRETES>TRANSISTOR>POWER MOSFETS |
| 2SJ318(L) | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-251AA |
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